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Siehe Technische Spezifikationen

DBD10G-E +BOM

High-voltage, low-current diode bridge for reliable rectificati

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

DBD10G-E
Datenblatt:

DBD10G-E Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
HTS:

8541.10.00.80
SVHC:

Yes
SVHC Exceeds Threshold:

Yes
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DBD10G-E

DBD10G-E Allgemeine Beschreibung

Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
HTS	8541.10.00.80	SVHC	Yes
SVHC Exceeds Threshold	Yes	Automotive	No
PPAP	No	Bridge Type	Single Phase
Configuration	Single	Peak Reverse Repetitive Voltage (V)	600
Peak Average Forward Current (A)	1	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current (A)	30
Peak Forward Voltage (V)	[email protected]	Peak Reverse Current (uA)	10
Minimum Operating Temperature (°C)	-40	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Fan-Fold	Mounting	Through Hole
PCB changed	4	Pin Count	4

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