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Siehe Technische Spezifikationen

DDB6U205N16LHOSA1 +BOM

Diode Array 3 Independent 1600 V Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

DDB6U205N16LHOSA1
Datenblatt:

DDB6U205N16LHOSA1 Datenblatt (PDF)
Diode Configuration:

3 Independent
Technology:

Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

1.47 V @ 200 A

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

DDB6U205N16LHOSA1 Allgemeine Beschreibung

Diode Array 3 Independent 1600 V Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Modules with screwable power terminals
Concept designed for replacing 3 x 20mm SCR / diode half bridge modules
Housing concept matches the 62 mm IGBT modules

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersDiode Arrays	Series	-
Diode Configuration	3 Independent	Technology	Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1600 V	Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.47 V @ 200 A	Speed	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 mA @ 1600 V	Operating Temperature - Junction	-40°C ~ 150°C
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	DDB6U205
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no	Product Category	Discrete Semiconductor Modules
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Subcategory	Discrete Semiconductor Modules
Part # Aliases	DDB6U205N16L SP000100247

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