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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DF2B29FU,H3F +BOM

Surge-absorbing device safeguards against electrical storms

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage
Herstellerteil #:

DF2B29FU,H3F
Datenblatt:

DF2B29FU,H3F Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Factory Lead Time:

24 Weeks
Breakdown Voltage-Max:

32 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DF2B29FU,H3F

DF2B29FU,H3F Allgemeine Beschreibung

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC

Spezifikationen

Source Content uid	DF2B29FU,H3F	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
Factory Lead Time	24 Weeks	Breakdown Voltage-Max	32 V
Breakdown Voltage-Min	26 V	Breakdown Voltage-Nom	29 V
Clamping Voltage-Max	47 V	Configuration	SINGLE
Diode Element Material	SILICON	Diode Type	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code	R-PDSO-G2	Non-rep Peak Rev Power Dis-Max	140 W
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity	BIDIRECTIONAL
Reference Standard	IEC-61000-4-2, 4-5	Rep Pk Reverse Voltage-Max	24 V
Reverse Current-Max	0.1 µA	Reverse Test Voltage	24 V
Surface Mount	YES	Technology	AVALANCHE
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL

Servicerichtlinien und andere

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