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Siehe Technische Spezifikationen

DGTD120T25S1PT +BOM

IGBT Transistors IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

DGTD120T25S1PT
Datenblatt:

DGTD120T25S1PT Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DGTD120T25S1PT

DGTD120T25S1PT Allgemeine Beschreibung

IGBT Field Stop 1200 V 50 A 348 W Through Hole TO-247

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	2 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	50 A	Pd - Power Dissipation	348 W
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Continuous Collector Current Ic Max	50 A	Gate-Emitter Leakage Current	250 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	IGBTs	Unit Weight	0.197534 oz

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