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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DS1245AB-100+ +BOM

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mbit Parallel 100 ns 32-EDIP

Hersteller:

Analog Devices, Inc
Herstellerteil #:

DS1245AB-100+
Datenblatt:

DS1245AB-100+ Datenblatt (PDF)
PackingQty:

Tube,11
PackingOption:

Tube
TempRange:

0 to 70C
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DS1245AB-100+

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

DS1245AB-100+ Allgemeine Beschreibung

The DS1245 1024k Nonvolatile (NV) SRAMs are 1,048,576-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by 8 bits. Each complete NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors V_CC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is nconditionally enabled to prevent data corruption. DIP-package DS1245 devices can be used in place of existing 128k x 8 static RAMs directly conforming to the popular bytewide 32-pin DIP standard. DS1245 devices in the PowerCap Module package are directly surface mountable and are normally paired with a DS9034PC PowerCap to form a complete Nonvolatile SRAM module. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

Hauptmerkmale

Retains data for up to 10 years in backup mode
Unlimited read cycles for reliable data retrieval
Operating temperatures of -40°C to +85°C

Spezifikationen

model	DS1245AB-100+	packingQty	Tube,11
packingOption	Tube	lifeCycle	production
tempRange	0 to 70C

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