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Siehe Technische Spezifikationen

EE-SX1131 +BOM

Compact phototransistor for precision sensing

Hersteller:

Omron Electronics Inc-EMC Div
Herstellerteil #:

EE-SX1131
Datenblatt:

EE-SX1131 Datenblatt (PDF)
Sensing Distance:

0.079" (2mm)
Sensing Method:

Through-Beam
Output Configuration:

2 NPN
Current - DC Forward (If) (Max):

25 mA

EE-SX1131 Allgemeine Beschreibung

The EE-SX1131 is a cutting-edge non-modulated phototransistor module crafted by Omron Electronics. Its infrared emitting diode and phototransistor are enclosed in a compact package, ensuring seamless integration into a diverse range of applications. The module's primary function is to detect the presence or absence of an object by gauging the amount of infrared light reflected or interrupted by the object

Hauptmerkmale

Features:

Compact, thin profile enables dense mounting.

Indicator is visible from both sides.

Wide operating voltage range: 5 to 24 VDC

Spezifikationen

Sensing Distance	0.079" (2mm)	Sensing Method	Through-Beam
Output Configuration	2 NPN	Current - DC Forward (If) (Max)	25 mA
Current - Collector (Ic) (Max)	20 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20 V
Response Time	10µs, 10µs	Operating Temperature	-30°C ~ 85°C
Mounting Type	Surface Mount

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