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Siehe Technische Spezifikationen

EMD4E001G16G2-150CAS2R +BOM

1 Gigabit MRAM Memory Module for ST-DDR4

Hersteller:

Everspin Technologies
Herstellerteil #:

EMD4E001G16G2-150CAS2R
Datenblatt:

EMD4E001G16G2-150CAS2R Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

RAM
Technology:

MRAM (Magnetoresistive RAM)
Memory Size:

1Gbit
EDA/CAD Modelle:

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EMD4E001G16G2-150CAS2R Allgemeine Beschreibung

MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Gbit Parallel 667 MHz 18 ns 96-BGA (10x13)

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	RAM
Technology	MRAM (Magnetoresistive RAM)	Memory Size	1Gbit
Memory Organization	128M x 8	Memory Interface	Parallel
Clock Frequency	667 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	15ns
Access Time	18 ns	Voltage - Supply	1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature	0°C ~ 85°C (TC)	Mounting Type	Surface Mount
Product Category:	MRAM	Packaging:	Reel
Product Type:	MRAM	Factory Pack Quantity:	2000

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