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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ESD8551N2T5G +BOM

Low Capacitance ESD Protection Diodefor High Speed Data Line

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

ESD8551N2T5G
Datenblatt:

ESD8551N2T5G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

714AB
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ESD8551N2T5G

ESD8551N2T5G Allgemeine Beschreibung

Protect your valuable high-speed data lines with the ESD8551N2T5G ESD protection diode, specifically designed to offer superior protection against electrostatic discharge events. Boasting ultra-low capacitance and a low ESD clamping voltage, this device is the perfect solution for safeguarding voltage-sensitive high-speed data lines from potential damage. With the ESD8551N2T5G in place, you can have peace of mind knowing that your data transmission is secure and reliable, even in the face of unexpected ESD incidents. Don't compromise on the safety of your critical data lines – trust the ESD8551N2T5G to provide the protection they need

Hauptmerkmale

Low Capacitance (0.30 pF Max, I/O to GND)
Protection for the Following IEC Standards:IEC 61000−4−2 (Level 4)ISO10605 330 pF / 2 k? ±30 kV Contact
Low ESD Clamping Voltage
SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified andPPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant
SZESD8551MXWT5G Wettable Flank Package

Anwendung

USB 3.0
MHL 2.0
eSATA

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	714AB	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	8000	ON Target	N
Interface	USB 2.0	Number of Lines	1
Direction	Bidirectional	C Max (pF)	0.3
V(BR) Min (V)	5.5	VRWM Max (V)	3.3
IR Max (µA)	0.05	Pricing ($/Unit)	$0.052Sample

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..