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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ESDM3031MXT5G +BOM

ESD Protection Diode, 3.3 V

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

ESDM3031MXT5G
Datenblatt:

ESDM3031MXT5G Datenblatt (PDF)
Type:

Zener
Bidirectional Channels:

1
Voltage - Reverse Standoff (Typ):

3.3V (Max)
Voltage - Breakdown (Min):

4.4V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ESDM3031MXT5G

ESDM3031MXT5G Allgemeine Beschreibung

When it comes to ESD protection, the ESDM3031MXT5G stands out with its superior performance. The low leakage and fast response time of this device make it a reliable choice for designers looking to safeguard their sensitive components. Its low capacitance ensures minimal interference with signal integrity, making it an ideal solution for applications where precision is paramount

Hauptmerkmale

Fast Acting Time
Low Inrush Current
High Surge Rating

Anwendung

RF Shielding
Surge Suppression
Voltage Regulation

Spezifikationen

Type	Zener	Bidirectional Channels	1
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	3.3V (Max)	Voltage - Breakdown (Min)	4.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp	8V	Current - Peak Pulse (10/1000µs)	11A (8/20µs)
Power Line Protection	No	Applications	General Purpose
Capacitance @ Frequency	20pF @ 1MHz (Max)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ESDM3031

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