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IGBT NPT 600 V 65 A 200 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
ISOPLUS i4-PAC-5Hersteller:
Herstellerteil #:
FID60-06D
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
600 V
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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IGBT NPT 600 V 65 A 200 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 65 A |
Pd - Power Dissipation | 200 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | FID60-06D |
Continuous Collector Current | 65 A | Continuous Collector Current Ic Max | 100 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA | Height | 21.34 mm |
Length | 20.29 mm | Operating Temperature Range | - 55 C to + 150 C |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 1 |
Subcategory | IGBTs | Tradename | ISOPLUS i4-PAC |
Width | 5.21 mm | Unit Weight | 0.211644 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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