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GRF5517W +BOM

RF Amplifier High Linearity Power Amplifier; 1.7 - 1.8 GHz; AEC-Q100 Grade 2 Qualified; High gain, two-stage InGaP HBT power amplifier

Hersteller:

Guerrilla RF
Herstellerteil #:

GRF5517W
Datenblatt:

GRF5517W Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Type:

Power Amplifiers
Technology:

InGaP
Operating Frequency:

1.7 GHz to 1.8 GHz

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

GRF5517W Allgemeine Beschreibung

RF Amplifier High Linearity Power Amplifier; 1.7 - 1.8 GHz; AEC-Q100 Grade 2 Qualified; High gain, two-stage InGaP HBT power amplifier

Spezifikationen

Product Category	RF Amplifier	Mounting Style	SMD/SMT
Type	Power Amplifiers	Technology	InGaP
Operating Frequency	1.7 GHz to 1.8 GHz	P1dB - Compression Point	32 dBm
Gain	27.5 dB	Operating Supply Voltage	5 V
NF - Noise Figure	5.4 dB	OIP3 - Third Order Intercept	48 dBm
Operating Supply Current	305 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 105 C	Qualification	AEC-Q100
Series	GRF5517	Input Return Loss	7 dB
Isolation dB	50 dB	Number of Channels	2 Channel
Pd - Power Dissipation	1.4 W	Product Type	RF Amplifier
Factory Pack Quantity	1500	Subcategory	Wireless & RF Integrated Circuits
Test Frequency	1.747 GHz

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