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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

H26M31001HPR +BOM

Durable and efficient e-MMC for demanding environments

Hersteller:

Hynix
Herstellerteil #:

H26M31001HPR
Datenblatt:

H26M31001HPR Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.51
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an H26M31001HPR

H26M31001HPR Allgemeine Beschreibung

4GB NAND Flash Memory Single Stack 3.3V e-MMC4.5

Hauptmerkmale

Compact.

Excellent rise characteristics.

Excellent phase noise characteristics.

Excellent aging characteristics.

Anwendung

Mobile communication base station

Measuring instrument

Synthesizer

Exchanger

High-end router

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.51
JESD-30 Code	R-PBGA-B153	Memory Density	34359738368 bit
Memory IC Type	FLASH	Memory Width	8
Number of Functions	1	Number of Terminals	153
Number of Words	4294967296 words	Number of Words Code	4000000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Organization	4GX8
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Programming Voltage	3.3 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Terminal Form	BALL	Terminal Position	BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

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