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H5PS5162FFR-S5C +BOM

DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84

Hauptmerkmale

VDD = 1.8 +/- 0.1V

VDDQ = 1.8 +/- 0.1V

All inputs and outputs are compatible with SSTL_18 interface

8 banks

Fully differential clock inputs (CK, /CK) operation

Double data rate interface

Source synchronous-data transaction aligned to bidirectional data strobe (DQS, DQS)

Differential Data Strobe (DQS, DQS)

Data outputs on DQS, DQS edges when read (edged DQ)

Data inputs on DQS centers when write (centered DQ)

On chip DLL align DQ, DQS and DQS transition with CK transition

DM mask write data-in at the both rising and falling edges of the data strobe

All addresses and control inputs except data, data strobes and data masks latched on the rising edges of the clock

Programmable CAS latency 3, 4, 5 and 6 supported

Programmable additive latency 0, 1, 2, 3, 4 and 5 supported

Programmable burst length 4/8 with both nibble sequential and interleave mode

Internal eight bank operations with single pulsed RAS

Auto refresh and self refresh supported

tRAS lockout supported

8K refresh cycles /64ms

JEDEC standard 84ball FBGA(x16)

Full strength driver option controlled by EMR

On Die Termination supported

Off Chip Driver Impedance Adjustment supported

Self-Refresh High Temperature Entry

Average Refresh Cycle (Tcase 0 oC~ 95 oC)

- 7.8 s at 0oC ~ 85 oC

- 3.9 s at 85oC ~ 95 oC

Commercial Temperature( 0oC ~ 85 oC)

Industrial Temperature( -40oC ~ 95 oC)

Spezifikationen

Product Category Memory ICs

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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