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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

HFA1110IB +BOM

High-performance buffer amp with bipolar technology and PDSOpackage

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

HFA1110IB
Datenblatt:

HFA1110IB Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Number Of Channels:

1 Channel
Supply Voltage - Max:

+/- 5.5 V
SR - Slew Rate:

1.3 kV/us
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HFA1110IB

HFA1110IB Allgemeine Beschreibung

Buffer Amplifier 1 Circuit 8-SOIC

Spezifikationen

Product Category:	Operational Amplifiers - Op Amps	Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel	Supply Voltage - Max:	+/- 5.5 V
SR - Slew Rate:	1.3 kV/us	Vos - Input Offset Voltage:	25 mV
Supply Voltage - Min:	+/- 4.5 V	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 85 C	Ib - Input Bias Current:	40 uA
Operating Supply Current:	26 mA	Shutdown:	No Shutdown
en - Input Voltage Noise Density:	14 nV/sqrt Hz	Amplifier Type:	General Purpose Amplifier
Dual Supply Voltage:	+/- 5 V	Height:	1.5 mm
In - Input Noise Current Density:	51 pA/sqrt Hz	Length:	5 mm
Maximum Dual Supply Voltage:	+/- 5.5 V	Minimum Dual Supply Voltage:	+/- 4.5 V
Product Type:	Op Amps - Operational Amplifiers	PSRR - Power Supply Rejection Ratio:	39 dB
Subcategory:	Amplifier ICs	Supply Type:	Dual
Technology:	Bipolar	Voltage Gain dB:	119.91 dB
Width:	4 mm	Unit Weight:	0.006596 oz

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