Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

HGTG20N60C3 +BOM

The HGTG20N60C3 device is a type of Insulated Gate Bipolar Transistor, commonly known as IGBT

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

HGTG20N60C3
Datenblatt:

HGTG20N60C3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HGTG20N60C3

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

45A, 600V, TC = 25°C
600V Switching SOA Capability
Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ = 150°C
Short Circuit Rating
Low Conduction Loss
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	45 A	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	HGTG20N60
Continuous Collector Current Ic Max	45 A	Height	20.82 mm
Length	15.87 mm	Product Type	IGBT Transistors
Subcategory	IGBTs	Width	4.82 mm
Unit Weight	1.340411 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..