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Siehe Technische Spezifikationen

HGTP10N50E1D +BOM

ROHS compliant TO-220 IGBTs rated for 75 watts power, 17.5 amps current, and 500 volts voltage

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

HGTP10N50E1D
Datenblatt:

HGTP10N50E1D Datenblatt (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

500 V
Current - Collector (Ic) (Max):

17.5 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

3.2V @ 20V, 17.5A
Power - Max:

75 W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HGTP10N50E1D

HGTP10N50E1D Allgemeine Beschreibung

IGBT 500 V 17.5 A 75 W Through Hole TO-220

Spezifikationen

Series	-	IGBT Type	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	500 V	Current - Collector (Ic) (Max)	17.5 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 20V, 17.5A	Power - Max	75 W
Switching Energy	-	Input Type	Standard
Gate Charge	19 nC	Td (on/off) @ 25°C	-
Test Condition	-	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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