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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

HIP2101EIBZ +BOM

Reliable Half Bridge Driver for Industrial Application

Hersteller:

Renesas Electronics
Herstellerteil #:

HIP2101EIBZ
Datenblatt:

HIP2101EIBZ Datenblatt (PDF)
Product:

Half-Bridge Drivers
Type:

High-Side, Low-Side
Mounting Style:

SMD/SMT
Number Of Drivers:

2 Driver
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HIP2101EIBZ

HIP2101EIBZ Allgemeine Beschreibung

The HIP2101EIBZ gate driver IC is engineered to meet the demands of high voltage and high-speed applications, offering precise and reliable control for power MOSFETs and IGBTs. Its dual independent outputs and pulse transformers provide the flexibility to drive both half-bridge and full-bridge configurations, making it a versatile solution for various power electronics designs. With a wide input voltage range and high output current capability, the HIP2101EIBZ ensures compatibility with different PWM signal sources and enables efficient power device switching

Hauptmerkmale

Advanced threat detection and response system
Automated incident response and reporting
Compliance with major regulatory frameworks

Spezifikationen

Product Category	Gate Drivers	Product	Half-Bridge Drivers
Type	High-Side, Low-Side	Mounting Style	SMD/SMT
Number of Drivers	2 Driver	Number of Outputs	2 Output
Output Current	2 A	Supply Voltage - Min	9 V
Supply Voltage - Max	14 V	Rise Time	500 ns
Fall Time	500 ns	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	HIP2101
Features	Independent	Height	0 mm
Length	4.9 mm	Maximum Turn-Off Delay Time	13 ns
Maximum Turn-On Delay Time	13 ns	Moisture Sensitive	Yes
Operating Supply Current	3 mA	Pd - Power Dissipation	3.1 W
Product Type	Gate Drivers	Propagation Delay - Max	43 ns
Factory Pack Quantity	980	Subcategory	PMIC - Power Management ICs
Technology	Si	Width	3.9 mm
Unit Weight	0.002646 oz

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