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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

HIP6601BCB +BOM

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Hersteller:

Intersil
Herstellerteil #:

HIP6601BCB
Datenblatt:

HIP6601BCB Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Driven Configuration:

Half-Bridge
Channel Type:

Synchronous
Number Of Drivers:

2

HIP6601BCB Allgemeine Beschreibung

The HIP6601BCB is a reliable and efficient choice for designers looking for a MOSFET driver IC with the flexibility to meet diverse application requirements. With its small form factor and high output current capability, it provides a compact and powerful solution for power management needs

Hauptmerkmale

Drives Two N-Channel MOSFETs
Adaptive Shoot-Through Protection
Internal Bootstrap Device
Supports High Switching Frequency
- Fast Output Rise Time
- Propagation Delay 30ns
Small 8 Ld SOIC and EPSOIC and 16 Ld QFN Packages
Dual Gate-Drive Voltages for Optimal Efficiency
Three-State Input for Output Stage Shutdown
Supply Undervoltage Protection
QFN Package
- Compliant to JEDEC PUB95 MO-220 QFN—Quad Flat No Leads—Product Outline.
- Near Chip-Scale Package Footprint; Improves PCB Efficiency and Thinner in Profile.
Pb-Free (RoHS Compliant)

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Driven Configuration	Half-Bridge
Channel Type	Synchronous	Number of Drivers	2
Gate Type	N-Channel MOSFET	Voltage - Supply	10.8V ~ 13.2V
Input Type	Non-Inverting	High Side Voltage - Max (Bootstrap)	15 V
Rise / Fall Time (Typ)	20ns, 20ns	Operating Temperature	0°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	HIP6601

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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