Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

HM6-6642B-9 +BOM

Memory IC 4Kbit 200 ns 24-SBDIP

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

HM6-6642B-9
Datenblatt:

HM6-6642B-9 Datenblatt (PDF)
Interface Type:

Parallel
Memory Size:

4 kbit
Organization:

512 x 8
Supply Voltage - Min:

4.5 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HM6-6642B-9

HM6-6642B-9 Allgemeine Beschreibung

Memory IC 4Kbit 200 ns 24-SBDIP

Spezifikationen

Product Category:	EEPROM	Interface Type:	Parallel
Memory Size:	4 kbit	Organization:	512 x 8
Supply Voltage - Min:	4.5 V	Supply Voltage - Max:	5.5 V
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 85 C
Access Time:	140 ns	Supply Current - Max:	20 mA
Active Read Current - Max:	20 mA	Height:	3.56 mm (Max)
Length:	32.51 mm (Max)	Operating Supply Voltage:	5 V
Output Enable Access Time:	50 ns	Product Type:	EEPROM
Subcategory:	Memory & Data Storage	Width:	7.87 mm (Max)

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..