Bezahlverfahren
HMC3587LP3BE +BOM
Frequency range: 4 - 10 GHz
CP-12-10-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
HMC3587LP3BE
-
Datenblatt:
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Operating Frequency:
4 GHz to 10 GHz
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Operating Supply Voltage:
5 V
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Operating Supply Current:
43 mA
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Gain:
15 dB
Verfügbarkeit: 5795 Stck
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HMC3587LP3BE Allgemeine Beschreibung
The HMC3587LP3BE is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifier (LNA) designed for high frequency applications. It operates in the frequency range of 0.01 GHz to 20 GHz, making it suitable for a wide variety of communication and radar systems. The LNA features a low noise figure of 1.7 dB at 10 GHz, providing high sensitivity and improved signal-to-noise ratio in receiving systems. It also offers a high gain of 23 dB at 10 GHz, ensuring strong signal amplification for better system performance. The HMC3587LP3BE is housed in a low-cost, leadless surface-mount package, making it easy to integrate into existing electronic systems. It operates on a single positive supply voltage, simplifying the power supply requirements.
Hauptmerkmale
Anwendung
Spezifikationen
Product Category | RF Amplifier | Operating Frequency | 4 GHz to 10 GHz |
Operating Supply Voltage | 5 V | Operating Supply Current | 43 mA |
Gain | 15 dB | NF - Noise Figure | 3.5 dB |
Type | Gain Block Amplifiers | Mounting Style | SMD/SMT |
Technology | Si | P1dB - Compression Point | 13 dBm |
OIP3 - Third Order Intercept | 25 dBm | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 85 C | Series | HMC3587 |
Frequency Range | 4 GHz to 10 GHz | Input Return Loss | 14 dB |
Number of Channels | 1 Channel | Pd - Power Dissipation | 512 mW |
Product Type | RF Amplifier | Factory Pack Quantity | 500 |
Subcategory | Wireless & RF Integrated Circuits | Test Frequency | 5 GHz to 10 GHz |
Unit Weight | 0.000847 oz |
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