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HMC544AE +BOM

GaAs MMIC T/R Switch, DC - 4 GHz

HMC544AE Allgemeine Beschreibung

This exceptional performance is owed to the use of gallium arsenide (GaAs) and pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) technology. With a power consumption of merely 1.5 mA at +3 volt bias, these switches are extremely energy-efficient, making them suitable for battery-powered devices and other applications where power consumption is critical

Hauptmerkmale

  • Ultra Low Noise Figure: 1 dB
  • High Gain P2dB: +35 dBm
  • Excellent Linearity IP2: +50 dBm

Anwendung

  • Wireless Networking Solutions
  • RF Circuit Design
  • Telecom Infrastructure

Spezifikationen

Product Category RF Switch ICs Switch Configuration SPDT
Minimum Frequency 0 Hz Maximum Frequency 4 GHz
Insertion Loss 0.7 dB Off Isolation - Typ 12 dB
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 85 C
Mounting Style SMD/SMT Technology GaAs
Series HMC544AG High Control Voltage 3 V to 5 V
Number of Switches Single Off Time - Max 50 ns
On Time - Max 50 ns Pd - Power Dissipation 574 mW
Product Type RF Switch ICs Factory Pack Quantity 500
Subcategory Wireless & RF Integrated Circuits Unit Weight 0.001058 oz

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