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Siehe Technische Spezifikationen

HN1B01FU-Y,LXHF +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

HN1B01FU-Y,LXHF
Datenblatt:

HN1B01FU-Y,LXHF Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V

HN1B01FU-Y,LXHF Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	100 mV
Pd - Power Dissipation	200 mW	Gain Bandwidth Product fT	120 MHz, 150 MHz
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Qualification	AEC-Q200
Continuous Collector Current	150 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	120 at 2 mA, 6 V
DC Current Gain hFE Max	400 at 2 mA, 6 V	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	HN1B01FU-Y,LXHF(B

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