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Siehe Technische Spezifikationen

HN27C4001G10 +BOM

EPROM - UV Memory IC 4Mbit Parallel 100 ns 32-CDIP

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation
Herstellerteil #:

HN27C4001G10
Datenblatt:

HN27C4001G10 Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

EPROM
Technology:

EPROM - UV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HN27C4001G10

HN27C4001G10 Allgemeine Beschreibung

EPROM - UV Memory IC 4Mbit Parallel 100 ns 32-CDIP

Spezifikationen

Series	-	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	EPROM
Technology	EPROM - UV	Memory Size	4Mbit
Memory Organization	512K x 8	Memory Interface	Parallel
Access Time	100 ns	Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	HN27C

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