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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IDT71V416L10PH +BOM

The IDT71V416L10PH from Renesas Electronics is designed for optimal performance

Hersteller:

RENESAS
Herstellerteil #:

IDT71V416L10PH
Datenblatt:

IDT71V416L10PH Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IDT71V416L10PH

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IDT71V416L10PH Allgemeine Beschreibung

This cutting-edge SRAM chip comes housed in a convenient 44-pin TSOP package, allowing for easy integration into circuit boards without sacrificing performance. Additionally, its RoHS compliance guarantees that it meets the latest environmental standards for lead-free components. Whether you're working on a project that demands quick data retrieval or looking to optimize energy consumption in battery-powered devices, the IDT71V416L10PH is the perfect solution

Hauptmerkmale

256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.
Equal access and cycle times
– Commercial and Industrial: 10/12/15ns
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible
Low power consumption via chip deselect
Upper and Lower Byte Enable Pins
Single 3.3V power supply
Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x 9mm package.

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Volatile
Memory Format	SRAM	Technology	SRAM - Asynchronous
Memory Size	4Mbit	Memory Organization	256K x 16
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	-
Write Cycle Time - Word, Page	10ns	Access Time	10 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..