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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IDT71V424S10Y +BOM

Renesas Electronics

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation
Herstellerteil #:

IDT71V424S10Y
Datenblatt:

IDT71V424S10Y Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IDT71V424S10Y

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IDT71V424S10Y Allgemeine Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 10 ns 36-SOJ

Hauptmerkmale

512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
Single 3.3V power supply
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible
Low power consumption via chip deselect
Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Volatile
Memory Format	SRAM	Technology	SRAM - Asynchronous
Memory Size	4Mbit	Memory Organization	512K x 8
Memory Interface	Parallel	Write Cycle Time - Word, Page	10ns
Access Time	10 ns	Voltage - Supply	3V ~ 3.6V
Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IDT71V424

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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