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Siehe Technische Spezifikationen

IKW30N65H5XKSA1 +BOM

IGBT Trench 650 V 55 A 188 W Through Hole PG-TO247-3

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IKW30N65H5XKSA1
Datenblatt:

IKW30N65H5XKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelle:

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IKW30N65H5XKSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench 650 V 55 A 188 W Through Hole PG-TO247-3

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	55 A
Pd - Power Dissipation	188 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Trenchstop IGBT5
Height	20.7 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Tradename	TRENCHSTOP
Width	5.31 mm	Part # Aliases	IKW30N65H5 SP001204194
Unit Weight	0.213725 oz

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