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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IR2117S +BOM

Eight-lead SOIC package offers improved thermal performance and reduced electromagnetic interference

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IR2117S
Datenblatt:

IR2117S Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

20.0 V
Input Vcc Min:

10.0 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Functional levelshift
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IR2117S

IR2117S Allgemeine Beschreibung

IR2117S is a high-quality gate driver IC designed for use with IGBTs and MOSFETs, offering a reliable solution for controlling power switches in various applications. With a voltage rating of 600 V and source and sink currents of 0.25 A and 0.5 A respectively, this driver IC provides efficient and effective performance

Spezifikationen

Input Vcc max	20.0 V	Input Vcc min	10.0 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Functional levelshift

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