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Siehe Technische Spezifikationen

IR21814S +BOM

MOSFET driver with half bridge configuration, 2.3A output, CMOS technology, package type PDSO14

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IR21814S
Datenblatt:

IR21814S Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

20.0 V
Input Vcc Min:

10.0 V
Configuration:

High-side and low-side
Isolation Type:

Functional levelshift
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IR21814S

IR21814S Allgemeine Beschreibung

The IR21814S is a top-of-the-line gate driver IC specially crafted for demanding power applications. With its ability to handle high voltages up to 600V, this IC is perfect for driving IGBTs and MOSFETs in a variety of uses, from motor control to power supplies. Its peak output current of 2.8A and maximum duty cycle of 50% ensure efficient performance at all times. Additionally, the IR21814S boasts a high input impedance and low propagation delay, making it a reliable choice for modern power electronic systems

Hauptmerkmale

Suitable for driving medium-power loads with high-speed and high-voltage power
Fully functional within 10-20V supply voltage range and protected against over-current and under-voltage
Supports demanding applications without compromising speed or power
Fully protected against faults and over-current feedback protection

Anwendung

Automated industrial systems
Energy-efficient motors
Solar power inverters

Spezifikationen

Input Vcc max	20.0 V	Input Vcc min	10.0 V
Configuration	High-side and low-side	Isolation Type	Functional levelshift

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