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Siehe Technische Spezifikationen

IR2181S +BOM

High-performance gate driver IC for efficient power management, SOIC-package

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IR2181S
Datenblatt:

IR2181S Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

20.0 V
Input Vcc Min:

10.0 V
Configuration:

High-side and low-side
Isolation Type:

Functional levelshift
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IR2181S

IR2181S Allgemeine Beschreibung

Enhance your power electronics designs with the IR2181S Gate Driver IC, a reliable and efficient solution for driving IGBTs and MOSFETs. With its high voltage capacity, robust source and sink currents, and compact design, the IR2181S offers unmatched performance in a variety of applications. For even better functionality, consider upgrading to the 2ED2181S06F version, which incorporates advanced SOI technology for improved reliability and higher switching frequencies. Take your power electronics projects to the next level with the IR2181S series

Spezifikationen

Input Vcc max	20.0 V	Input Vcc min	10.0 V
Configuration	High-side and low-side	Isolation Type	Functional levelshift

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