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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IR2233J +BOM

Precise control of MOSFET switching and conduction state

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IR2233J
Datenblatt:

IR2233J Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

20.0 V
Input Vcc Min:

10.0 V
Configuration:

Three Phase
Isolation Type:

Functional levelshift
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IR2233J

IR2233J Allgemeine Beschreibung

The IR22-33J is a high-performance EiceDRIVER™ gate driver IC designed specifically for use with three-phase power electronics applications. This device boasts an impressive voltage rating of 12,000 volts and features typical source and sink currents of 0.25 A and 0.5 A respectively. Available in a range of packages including 44 Lead PLCC, 28 Lead PDIP, and 28 Lead SOICWB, the IR22-33J is optimized for use with IGBTs and MOSFETs, making it an ideal solution for demanding applications such as motor control, power conversion, and renewable energy systems

Hauptmerkmale

2.5V logic compatible Outputs out of phase with inputs Also available LEAD-FREE Undervoltage lockout for all channels Over-current shut down turns off all six drivers Independent 3 half-bridge drivers Matched propagation delay for all channels Gate drive supply range from 10V/12V to 20V DC and up to 25V for transient Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +600V or+1200V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune

Spezifikationen

Input Vcc max	20.0 V	Input Vcc min	10.0 V
Configuration	Three Phase	Isolation Type	Functional levelshift

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