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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRLHM620 +BOM

High-power electronics require reliable MOSFET transistors like IRLHM620 for efficient energy conversion

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRLHM620
Datenblatt:

IRLHM620 Datenblatt (PDF)
Mounting:

SMD
Ptot Max:

37.0 W
RthJC Max:

3.4 K/W
VDS Max:

20.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRLHM620

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IRLHM620 Allgemeine Beschreibung

Unlock the full potential of your low-frequency applications with the IRLHM620 StrongIRFET™ power MOSFET. Boasting a low RDS(on) and high current capability, this device is engineered for superior performance and ruggedness. From DC motors to battery management systems, inverters, and DC-DC converters, the versatility of this product makes it a must-have for any engineer or designer seeking reliability and efficiency in their designs. With a comprehensive portfolio that caters to a wide range of applications, you can trust the StrongIRFET™ power MOSFET family to deliver the power and performance you need

Hauptmerkmale

High performance, reliable industrial-grade hardware
Compact and rugged design for harsh environments
Supports various operating systems
Wide operating temperature range
Multiple I/O options for flexibility in connectivity
Rich set of built-in software tools for easy integration
Long-term availability and support

Anwendung

Remote monitoring and control
Environmental monitoring
Medical devices

Spezifikationen

Mounting	SMD	Ptot max	37.0 W
RthJC max	3.4 K/W	VDS max	20.0 V
Moisture Sensitivity Level	1	Polarity	N
Tj max	150.0 °C	VGS max	12.0 V
RDS (on) max	2.5 mΩ	VGS(th) max	1.1 V
VGS(th) min	0.5 V	ID max	40.0 A
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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