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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXDI604SIA +BOM

Active N-Channel P-Channel MOSFET

Hersteller:

IXYS Corporation
Herstellerteil #:

IXDI604SIA
Datenblatt:

IXDI604SIA Datenblatt (PDF)
Programmable:

Not Verified
Driven Configuration:

Low-Side
Channel Type:

Independent
Number Of Drivers:

2
EDA/CAD Modelle:

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IXDI604SIA Allgemeine Beschreibung

Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)Power Management (PMIC)Gate Drivers	Series	-
Programmable	Not Verified	Driven Configuration	Low-Side
Channel Type	Independent	Number of Drivers	2
Gate Type	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	Voltage - Supply	4.5V ~ 35V
Logic Voltage - VIL, VIH	0.8V, 3V	Current - Peak Output (Source, Sink)	4A, 4A
Input Type	Inverting	Rise / Fall Time (Typ)	9ns, 8ns
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IXDI604	feature-maximum-power-dissipation-mw
feature-packaging	Tube	feature-type	IGBT\|MOSFET
feature-rad-hard		feature-pin-count	8
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number	AEC-Q100	feature-auto-motive	Yes
feature-p-pap		feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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