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Siehe Technische Spezifikationen

IXGX35N120CD1 +BOM

High-voltage, high-current IGBT chip for demanding industrial applications

Hersteller:

IXYS Corporation
Herstellerteil #:

IXGX35N120CD1
Datenblatt:

IXGX35N120CD1 Datenblatt (PDF)
Series:

HiPerFAST™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

70 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

140 A

IXGX35N120CD1 Allgemeine Beschreibung

IGBT 1200 V 70 A 350 W Through Hole PLUS247™-3

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	HiPerFAST™
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)	70 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	140 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	4V @ 15V, 35A	Power - Max	350 W
Switching Energy	3mJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	170 nC	Td (on/off) @ 25°C	50ns/150ns
Test Condition	960V, 35A, 5Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	60 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IXGX35	Product Category:	Littelfuse

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