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Siehe Technische Spezifikationen

IXRFD631-NRF +BOM

High-power switching for demanding RF application

Hersteller:

IXYS-RF
Herstellerteil #:

IXRFD631-NRF
Datenblatt:

IXRFD631-NRF Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Driven Configuration:

Low-Side
Channel Type:

Single
Number Of Drivers:

1
EDA/CAD Modelle:

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IXRFD631-NRF Allgemeine Beschreibung

The IXRFD631-NRF is a high-performance Low Side 1 MOSFET gate driver IC designed for use in a variety of power applications. With a maximum current rating of 30A, this device is capable of delivering robust and efficient performance in demanding operating conditions

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Driven Configuration	Low-Side
Channel Type	Single	Number of Drivers	1
Gate Type	N-Channel, P-Channel MOSFET	Voltage - Supply	8V ~ 18V
Logic Voltage - VIL, VIH	0.8V, 3.5V	Current - Peak Output (Source, Sink)	30A, 30A
Input Type	Non-Inverting	High Side Voltage - Max (Bootstrap)	-
Rise / Fall Time (Typ)	4ns, 4ns	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount

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