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Siehe Technische Spezifikationen

IXYH40N90C3D1 +BOM

900V, 90A Transistor: IXYH40N90C3D1, TO-247AD

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYH40N90C3D1
Datenblatt:

IXYH40N90C3D1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

900 V
EDA/CAD Modelle:

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IXYH40N90C3D1 Allgemeine Beschreibung

IGBT 900 V 90 A 500 W Through Hole TO-247 (IXTH)

Hauptmerkmale

High Voltage Package

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of Vce(sat)

Avalanche Rated

International Standard Packages

Anwendung

POWER CONTROL

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	900 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	90 A
Pd - Power Dissipation	500 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXYH40N90
Continuous Collector Current	90 A	Continuous Collector Current Ic Max	180 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	21.46 mm
Length	16.26 mm	Operating Temperature Range	- 55 C to + 150 C
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	IGBTs	Tradename	XPT, GenX3
Width	5.3 mm	Unit Weight	0.158733 oz

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