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J2607 +BOM

Switch ICs - Various MOSLD EFFECT TRANSISTOR

VISHAY Inventar

Hauptmerkmale

  • 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050Ω
  • Total Dose
  • - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)
  • Single Event
  • - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects
  • - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80% of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias
  • Dose Rate
  • - Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80% BVDSS
  • - Typically Survives 2E12 if Current Limited to IDM
  • Photo Current
  • - 17nA Per-RAD(Si)/s Typically
  • Neutron
  • - Maintain Pre-RAD Specifications for 1E13 Neutrons/cm2
  • - Usable to 1E14 Neutrons/cm2
VISHAY Originalbestand
VISHAY Inventar

Spezifikationen

Product Category IC Chips

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

payment Zahlung

Bezahlverfahren

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Paypal
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Versand Versand & Verpackung

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Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

Rezensionen

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