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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

J310G +BOM

Small Signal Field-Effect Transistor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

J310G
Datenblatt:

J310G Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an J310G

J310G Allgemeine Beschreibung

N Channel Jfet, -25V, To-92; Gate Source Breakdown Voltage Max:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Max:60Ma; Gate Source Cutoff Voltage Max:-6.5V; No. Of Pins:3 Pin; Operating Temperature Max:125°C; Channel Type:N Channel Rohs Compliant: Yes |Onsemi J310G

Hauptmerkmale

Pb-Free Packages are Available

Spezifikationen

Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	25 V	Drain-Source Current at Vgs=0	24 mA to 60 mA
Series	J310	Product Type	JFETs
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Type	JFET	Unit Weight	0.016000 oz

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