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Siehe Technische Spezifikationen

JANTX1N649-1 +BOM

Rectifier diode with 1 element and a silicon material, 0.15A

Hersteller:

Microchip Technology
Herstellerteil #:

JANTX1N649-1
Datenblatt:

JANTX1N649-1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

600 V
Current - Average Rectified (Io):

400mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

1 V @ 400 mA
EDA/CAD Modelle:

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JANTX1N649-1 Allgemeine Beschreibung

Designed to withstand a wide temperature range from -65°C to 175°C, this diode is built to excel in the most challenging environments. Its capability to handle high current and high voltage applications makes it an indispensable component for power rectification in aerospace and military systems

Spezifikationen

Technology	Standard	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Current - Average Rectified (Io)	400mA	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 400 mA
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Current - Reverse Leakage @ Vr	50 nA @ 600 V
Grade	Military	Qualification	MIL-PRF-19500/240
Mounting Type	Through Hole	Operating Temperature - Junction	-65°C ~ 175°C
Base Product Number	1N649

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