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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

JANTX2N2326 +BOM

Bipolar transistors

Hersteller:

Aeroflex
Herstellerteil #:

JANTX2N2326
Datenblatt:

JANTX2N2326 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Maximum Gate Trigger Voltage (V):

0.8
Maximum Gate Trigger Current (mA):

0.2
Surge Current Rating (A):

15
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an JANTX2N2326

JANTX2N2326 Allgemeine Beschreibung

Operating within a temperature range of -65°C to 200°C, the JANTX2N2326 is built to withstand harsh environmental conditions. It meets stringent military standards, including MIL-PRF-19500/343 and MIL-STD-750, ensuring superior quality and reliability. Additionally, this transistor is radiation-resistant and can endure mechanical shocks and vibrations, making it an ideal choice for mission-critical applications in the defense and aerospace sectors

Hauptmerkmale

JANTX2N2326 is highly reliable transistor with high gain
Making it suitable for amplification circuits
With low noise figure and maximum power dissipation of 625mW

Anwendung

Ensures high performance
Meets stringent reliability standards
Resistant to extreme conditions

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
Maximum Gate Trigger Voltage (V)	0.8	Maximum Gate Trigger Current (mA)	0.2
Surge Current Rating (A)	15	Maximum Holding Current (mA)	2
Repetitive Peak Reverse Voltage (V)	200	Repetitive Peak Forward Blocking Voltage (V)	200
Rated Average On-State Current (A)	0.22	Repetitive Peak Off-State Current (mA)	0.01
Phase Control	No	Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	125	Supplier Temperature Grade	Military
Diameter	9.4(Max)	Mounting	Through Hole
PCB changed	3	Pin Count	3

Servicerichtlinien und andere

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