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Siehe Technische Spezifikationen

JANTX2N2920 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

JANTX2N2920
Datenblatt:

JANTX2N2920 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an JANTX2N2920

JANTX2N2920 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	70 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	30 mA	Pd - Power Dissipation	350 mW
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Continuous Collector Current	30 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	300	DC Current Gain hFE Max	1000
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	1 oz

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