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Siehe Technische Spezifikationen

K4B2G0446D-HYH9 +BOM

DDR DRAM, 512MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

Hersteller:

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Herstellerteil #:

K4B2G0446D-HYH9
Datenblatt:

K4B2G0446D-HYH9 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.36

Hauptmerkmale

The 2Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 64Mbit x 4 I/Os x 8banks, 32Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications. The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.36
Access Mode	MULTI BANK PAGE BURST	Access Time-Max	0.255 ns
Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY	Clock Frequency-Max (fCLK)	667 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	8
JESD-30 Code	R-PBGA-B78	Length	11 mm
Memory Density	2147483648 bit	Memory IC Type	DDR3L DRAM
Memory Width	4	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	78
Number of Words	536870912 words	Number of Words Code	512000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min		Organization	512MX4
Output Characteristics	3-STATE	Power Supplies	1.35 V
Qualification Status	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Seated Height-Max	1.2 mm	Self Refresh	YES
Sequential Burst Length	8	Standby Current-Max	0.01 A
Supply Current-Max	0.125 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	1.45 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.283 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.35 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	OTHER	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM
Width	7.5 mm

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