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Siehe Technische Spezifikationen

K4F6E3S4HM-MGCJ +BOM

The K4F6E3S4HM-MGCJ is designed with 10x15 64Mb x16DQ x8banks x2channels, allowing for efficient data processing and transfer speeds

Hersteller:

SAMSUNG
Herstellerteil #:

K4F6E3S4HM-MGCJ
Datenblatt:

K4F6E3S4HM-MGCJ Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
HTS:

8542.32.00.36
Automotive:

No
PPAP:

No
EDA/CAD Modelle:

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K4F6E3S4HM-MGCJ Allgemeine Beschreibung

Memory IC 16Gbit Parallel 1866 MHz

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
HTS	8542.32.00.36	Automotive	No
PPAP	No	DRAM Type	Mobile LPDDR4 SDRAM
Chip Density (bit)	16G	Organization	512Mx32
Number of Internal Banks	8	Number of Words per Bank	64M
Number of Bits/Word (bit)	32	Data Bus Width (bit)	32
Maximum Clock Rate (MHz)	3733	Maximum Access Time (ns)	3.5
Address Bus Width (bit)	19	Process Technology	CMOS
Interface Type	LVSTL	Minimum Operating Supply Voltage (V)	1.06\|1.7
Typical Operating Supply Voltage (V)	1.1\|1.8	Maximum Operating Supply Voltage (V)	1.17\|1.95
Operating Current (mA)	435	Minimum Operating Temperature (°C)	-25
Maximum Operating Temperature (°C)	85	Number of I/O Lines (bit)	32
Mounting	Surface Mount	PCB changed	200
Pin Count	200

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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