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Siehe Technische Spezifikationen

KBU603G +BOM

200V V(RRM) 6A KBU603G Silicon Bridge Rectifier Diode

Hersteller:

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Herstellerteil #:

KBU603G
Datenblatt:

KBU603G Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.10.00.80

KBU603G Allgemeine Beschreibung

Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole KBU

Hauptmerkmale

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.10.00.80
Breakdown Voltage-Min	200 V	Case Connection	ISOLATED
Configuration	BRIDGE, 4 ELEMENTS	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	BRIDGE RECTIFIER DIODE	Forward Voltage-Max (VF)	1.1 V
JESD-30 Code	R-PSFM-W4	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Non-rep Pk Forward Current-Max	175 A
Number of Elements	4	Number of Phases	1
Number of Terminals	4	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Output Current-Max	6 A
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Qualification Status	Not Qualified
Reference Standard	UL RECOGNIZED	Rep Pk Reverse Voltage-Max	200 V
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	SINGLE

Servicerichtlinien und andere

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