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Siehe Technische Spezifikationen

LT5570IDD

Power Detector 10-Pin DFN EP

Hersteller:

Analog Devices, Inc
Herstellerteil #:

LT5570IDD
Datenblatt:

LT5570IDD Datenblatt (PDF)
place:

Malaysia
launch_date:

Nov 12, 2007
last_inspection_date:

07 APR 2023
supplier_cage_code:

24355
EDA/CAD Modelle:

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LT5570IDD Allgemeine Beschreibung

The LT5570 is a 40MHz to 2.7GHz monolithic Logarithmic Mean-Squared RF power detector. It is capable of RMS measurement of an AC signal with wide dynamic range, from –52dBm to 13dBm depending on frequency. The power of the AC signal in an equivalent decibel-scaled value is precisely converted into DC voltage on a linear scale, independent of the crest factor of the waveforms. The LT5570 is suitable for precision RF power measurement and level control for a wide variety of RF standards, including CDMA, W-CDMA, CDMA2000, TD-SCDMA and WiMAX. The DC output is buffered with a low output impedance ampliﬁer capable of driving a high capacitance load.

Hauptmerkmale

Frequency Range: 40MHz to 2.7GHz
Accurate RMS Power Measurement of High Crest Factor Modulated Waveforms
Linear DC Output vs Input Power in dBm
Linear Dynamic Range: Up to 60dB
Exceptional Accuracy over Temperature: ±0.3dB
Fast Response Time: 0.5μs Rise Time, 8μs Fall Time
Low Supply Current: 26.5mA
Low Impedance Output Buffer Capable of Driving High Capacitance Load
Small 3mm × 3mm 10-Lead DFN Package

Anwendung

RMS Power Measurement
RF Power Control
Receive and Transmit Gain Control
W-CDMA, CDMA2000, TD-SCDMA, WiMAX
RF Instrumentation

Spezifikationen

place	Malaysia	launch_date	Nov 12, 2007
last_inspection_date	07 APR 2023	supplier_cage_code	24355
htsusa	8542390001	schedule_b	8542390000
ppap	False	aec	False

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