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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

M29W128GH70N6E +BOM

Parallel Flash IC Memory 128M 56-TSOP

Hersteller:

Micron Technology
Herstellerteil #:

M29W128GH70N6E
Datenblatt:

M29W128GH70N6E Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Series:

M29W
Memory Size:

128 Mbit
Supply Voltage - Min:

2.7 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an M29W128GH70N6E

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

M29W128GH70N6E Allgemeine Beschreibung

The M29W128GH70N6E is a dependable memory solution for designers seeking performance and reliability. Its high-speed capabilities, generous capacity, and advanced security features make it a top choice for a wide range of applications. Trust in Macronix's M29W128GH70N6E to deliver the performance and security you need for your next project

Hauptmerkmale

128Mb NAND Flash Memory
70ns Access Time
Multiple banks architecture
High performance program and erase
Operating voltage range of 1.65V to 3.6V
Industry-standard TSOP-48 package

Anwendung

Precision engineering
Quality components
Optimal performance

Spezifikationen

Product Category	NOR Flash	Mounting Style	SMD/SMT
Series	M29W	Memory Size	128 Mbit
Supply Voltage - Min	2.7 V	Supply Voltage - Max	3.6 V
Active Read Current - Max	10 mA	Interface Type	Parallel
Organization	16 M x 8/8 M x 16	Data Bus Width	8 bit/16 bit
Timing Type	Asynchronous	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Memory Type	NOR
Product Type	NOR Flash	Speed	70 ns
Standard	Common Flash Interface (CFI)	Factory Pack Quantity	576
Subcategory	Memory & Data Storage	Type	Boot Block

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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