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Siehe Technische Spezifikationen

MA4E2502H-1246 +BOM

Low-voltage, low-current Schottky Barrier Diode (SBD) suitable for various applications

Hersteller:

MACOM Technology Solutions
Herstellerteil #:

MA4E2502H-1246
Datenblatt:

MA4E2502H-1246 Datenblatt (PDF)
Diode Type:

Schottky
Voltage - Peak Reverse (Max):

5V
Current - Max:

20 mA
Capacitance @ Vr, F:

0.12pF @ 0V, 18GHz

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MA4E2502H-1246 Allgemeine Beschreibung

RF Diode Schottky 5V 20 mA 50 mW Die

Hauptmerkmale

Extremely Low Parasitic Capacitance and Inductance
RoHS Compliant
Lower Susceptibility to ESD Damage
Reliable, Multilayer Metalization with a Diffusion Barrier, 100% Stabilization Bake (300°C, 16 hours)
Rugged HMIC Construction with Polyimide Scratch Protection
Surface Mountable in Microwavable Circuits, No Wirebonds Required
Aerospace and Defense
ISM

MACOM Technology Solutions Originalbestand

Anwendung

Tss: -53 dBm
Min Frequency: 0 MHz
Junction Capacitance: 0.12 pF
Total Capacitance: 0.12 pF
Vf: 0.65 V
Vb: 3
Test Frequency: 10 GHz
Dynamic Resistance: 11 ohms
Max Frequency: 26,000 MHz

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRF Diodes	Series	-
Diode Type	Schottky	Voltage - Peak Reverse (Max)	5V
Current - Max	20 mA	Capacitance @ Vr, F	0.12pF @ 0V, 18GHz
Resistance @ If, F	-	Power Dissipation (Max)	50 mW
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TJ)	Base Product Number	MA4E2502
Product Category	Schottky Diodes & Rectifiers	Product	Schottky Diodes
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Technology	Si	If - Forward Current	20 mA
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage	5 V	Vf - Forward Voltage	650 mV
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Pd - Power Dissipation	50 mW	Product Type	Schottky Diodes & Rectifiers
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Diodes & Rectifiers
Vr - Reverse Voltage	5 V

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