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Siehe Technische Spezifikationen

MB85RS64TPN-G-AMEWE1 +BOM

The compact and durable design of this product makes it suitable for various industrial and consumer applications

Hersteller:

Fujitsu Components America, Inc
Herstellerteil #:

MB85RS64TPN-G-AMEWE1
Datenblatt:

MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FRAM
Technology:

FRAM (Ferroelectric RAM)
Memory Size:

64Kbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MB85RS64TPN-G-AMEWE1

MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Allgemeine Beschreibung

Fujitsu Semiconductor's MB85RS64TPN-G-AMEWE1 is a standout in the realm of non-volatile FRAM ICs. With a robust 64 kilobits storage capacity and an operational voltage range of 3.0 to 3.6 volts, it offers exceptional performance in a tiny package. It stands out with its speedy read and write capabilities, boasting a read access time of 150 nanoseconds and a write access time of 150 microseconds. Its impressive endurance of 10^10 read/write cycles and ability to retain data for up to 10 years without power make it a reliable option for diverse applications

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	FRAM
Technology	FRAM (Ferroelectric RAM)	Memory Size	64Kbit
Memory Organization	8K x 8	Memory Interface	SPI
Clock Frequency	10 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	-
Voltage - Supply	1.8V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	MB85RS64
Pin Count	9	Released Date	Mar 31, 2021
Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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Bewertungen und Rezensionen

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S**a 06.26.2023

Excellent and fast shipping

J**a 05.01.2023

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C**n 09.12.2021

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C**n 07.25.2020

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