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Siehe Technische Spezifikationen

MDD172-12N1 +BOM

The Dual Diodes Modules Portfolio offers various packages and breakdown voltages up to 2200V.

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

MDD172-12N1
Datenblatt:

MDD172-12N1 Datenblatt (PDF)
Product:

Power Semiconductor Modules
Type:

High Current Diode Modules
Technology:

Si
Vf - Forward Voltage:

1.15 V

MDD172-12N1 Allgemeine Beschreibung

Diode Array 1 Pair Series Connection 1200 V 190A Chassis Mount Y4-M6

Hauptmerkmale

International standard package
Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate
Planar passivated chips
Isolation voltage 3600 V~
UL registered, E 72873

Spezifikationen

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Product	Power Semiconductor Modules
Type	High Current Diode Modules	Technology	Si
Vf - Forward Voltage	1.15 V	Vr - Reverse Voltage	1.2 kV
Mounting Style	Screw Mounts	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MDD172
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Factory Pack Quantity	6
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Unit Weight	5 oz

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