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Siehe Technische Spezifikationen

MDNA210UB2200PTED +BOM

Bridge Rectifier Three Phase (Braking) Standard 2.2 kV Chassis Mount E2

Hersteller:

IXYS Corporation
Herstellerteil #:

MDNA210UB2200PTED
Datenblatt:

MDNA210UB2200PTED Datenblatt (PDF)
Diode Type:

Three Phase (Braking)
Technology:

Standard
Voltage - Peak Reverse (Max):

2.2 kV
Current - Average Rectified (Io):

210 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MDNA210UB2200PTED

MDNA210UB2200PTED Allgemeine Beschreibung

The Three Phase Bridge plus Brake Unit series comes with IGBT and freewheeling diode in various power classes.

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesBridge Rectifiers	Series	-
Diode Type	Three Phase (Braking)	Technology	Standard
Voltage - Peak Reverse (Max)	2.2 kV	Current - Average Rectified (Io)	210 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.75 V @ 210 A	Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 2200 V
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	MDNA210	Product Category:	Discrete Semiconductor Modules
Product:	Power Semiconductor Modules	Type:	Rectifier Bridge
Technology:	Si	Vf - Forward Voltage:	1.23 V
Mounting Style:	Screw Mount	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 125 C	Packaging:	Blister Pack
Configuration:	Triple	Fall Time:	400 ns
Pd - Power Dissipation:	250 W	Product Type:	Discrete Semiconductor Modules
Rise Time:	50 ns	Factory Pack Quantity:	28
Subcategory:	Discrete Semiconductor Modules	Transistor Polarity:	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	550 ns	Typical Turn-On Delay Time:	320 ns

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