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MGP15N40CL +BOM

Semiconductor component MGP15N40CL, featuring an N-type channel configuration suitable for switching applications, with a power dissipation of 150mW

MGP15N40CL Allgemeine Beschreibung

This power MOSFET comes in a TO-220 package, a popular choice in power electronics for its high power-handling capability and ease of mounting on a heat sink for improved thermal management. Its junction temperature rating of 150 degrees Celsius ensures long-term performance and durability under various operating conditions. Additionally, the MGP15N40CL features built-in protection against overcurrent and overheating, guaranteeing safe operation in demanding environments

Spezifikationen

Product Category IGBT Transistors Technology Si
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 440 V Maximum Gate Emitter Voltage - 17 V, 22 V
Pd - Power Dissipation 150 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Continuous Collector Current 600 uA
Continuous Collector Current Ic Max 15 A Height 9.28 mm
Length 10.28 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 50 Subcategory IGBTs
Width 4.82 mm Unit Weight 0.211644 oz

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